Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

TSMC могла бы улучшить характеристики 2-нм техпроцесса, но вышло бы слишком дорого

10:47 15.07.2022 |

Новини IT

 

На квартальном отчётном мероприятии руководство TSMC в очередной раз перечислило те параметры, которые удастся реализовать в рамках 2-нм техпроцесса, запланированного к освоению в рамках массового производства к концу 2025 года. Новая структура транзисторов ограничит возможности увеличения плотности их размещения, но в компании придерживаются критерия оптимальной себестоимости и уповают на чиплеты в сочетании с трёхмерной компоновкой.

Как напомнил генеральный директор TSMC Си-Си Вэй (C.C. Wei), в рамках перехода на 2-нм технологию упор сделан на энергетическую эффективность. Скорость переключения транзисторов, непосредственно влияющая на производительность компонента, вырастет на 10‒15 % при неизменном энергопотреблении, либо можно будет добиться снижения энергопотребления на 20‒30 % при том же уровне быстродействия. Плотность размещения транзисторов по сравнению с техпроцессом N3E вырастет только на 20 %, что ниже типичного прироста.

Когда данное несоответствие привлекло внимание аналитиков, председатель совета директоров TSMC Марк Лю (Mark Liu) пояснил, что в рамках 2-нм технологии компании удалось добиться прогресса в масштабировании транзисторов, но его скромная величина обусловлена как наличием у специалистов TSMC особых представлений о потребностях клиентов, для которых важнее энергетическая эффективность изделия, так и соображениями снижения себестоимости продукции. Другими словами, плотность размещения транзисторов в рамках 2-нм технологии можно было бы попытаться увеличить, но это повлекло бы рост затрат, которые пришлось бы переложить на плечи клиентов.

При этом TSMC собирается компенсировать подобные ограничения более активным использованием как чиплетной компоновки в сочетании с 2-нм техпроцессом, так и прогрессом в сфере совершенствования пространственной компоновки. В частности, ради этого в Японии был открыт исследовательский центр, который позволит TSMC и её местным партнёрам усовершенствовать материалы и технологии, обеспечивающие трёхмерную компоновку полупроводниковых элементов. Активно ведётся работа с поставщиками подложек, хотя сама TSMC выпускать их собственными силами и не собирается, но в сегменте высокопроизводительных вычислений все эти решения будут широко применяться к моменту выхода на рынок 2-нм изделий.

За матеріалами: 3DNews
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
41,9910
 0,1149
0,27
EUR
1
43,6454
 0,1340
0,31

Курс обміну валют на сьогодні, 10:28
  куп. uah % прод. uah %
USD 41,7962  0,20 0,48 42,3696  0,08 0,20
EUR 43,5123  0,04 0,10 44,2931  0,01 0,03

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 42,0200  0,04 0,10 42,0450  0,05 0,13
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес