Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Компанія Samsung розпочала серійне виробництво провідних чипів пам’яті.

08:03 13.02.2026 |

Новини IT

Samsung оголосила про початок масового виробництва своєї провідної високошвидкісної пам'яті HBM4 та про перші відвантаження комерційної продукції клієнтам. Компанія зазначає, що це забезпечить їй раннє лідерство на ринку.

Нові чипи пам'яті використовують найсучасніший 10-нанометровий технологічний процес DRAM 6-го покоління - 1c. Південнокорейська компанія змогла досягти стабільної продуктивності виробництва без будь-яких додаткових змін у конструкції пам'яті.

Samsung каже, що нова пам'ять HBM4 забезпечує швидкість обробки 11,7 Гбті/с, що приблизно на 46% вище за галузевий стандарт 8 Гбіт/с. Максимальна швидкість передачі у попереднього покоління, HBM3E, складала 9,6 Гбті/с.

Продуктивність HBM4 може бути додатково підвищена до 13 Гбіт/с, що ефективно зменшує вузькі місця у передачі даних, що посилюються зі зростанням масштабів моделей штучного інтелекту. Крім того, загальна пропускна здатність пам'яті на один стек збільшується у 2,7 раза порівняно з HBM3E, до максимуму 3,3 ТБ/с.

Завдяки технології 12-шарового стекування Samsung пропонує HBM4 обсягом від 24 до 36 ГБ. Крім того, компанія планує підтримувати більші модифікації для майбутніх клієнтів за допомогою 16-шарового стекування, що дозволить збільшити ємність до 48 ГБ.

Компанія також впровадила нове рішення для розв'язання проблеми енергоспоживання та нагрівання, що з'явилися через подвоєння контактів вводу/виводу з 1024 до 2048. HBM4 досягає 40% покращення енергоефективності завдяки технології низької напруги через кремнієвий кабель (TSV) та оптимізації мережі розподілу живлення (PDN), одночасно підвищуючи термостійкість на 10% та тепловіддачу на 30% порівняно з HBM3E.

Samsung очікує, що продажі високошвидкісної пам'яті у 2026 році зростуть більше ніж утричі у порівнянні з 2025 роком та розширює виробничі потужності для HBM4. У другій половині 2026 року компанія почне роботу над HBM4E, а у 2027 році почне пропонувати кастомну високошвидкісну пам'ять клієнтам.

Нагадаємо, напередодні Сон Джай-хюк, технічний директор Device Solutions у Samsung, заявив, що попит на чипи компанії залишатиметься високим не лише у 2026, а й у 2027 році. 

За матеріалами: mezha.ua
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
42,9930
 0,0388
0,09
EUR
1
51,0348
 0,1730
0,34

Курс обміну валют на сьогодні, 09:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 42,7744  0,02 0,05 43,3267  0,03 0,07
EUR 50,8630  0,01 0,03 51,5011  0,01 0,02

Міжбанківський ринок на вчора, 17:01
  куп. uah % прод. uah %
USD 43,0850  0,08 0,17 43,1150  0,08 0,17
EUR 51,1979  0,18 0,36 51,2249  0,19 0,38

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес