Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung готується до масового виробництва 2-нм GAA чипів у 2025 році

23:14 30.04.2024 |

Новини IT

 

Компанія Samsung, один із провідних гравців у галузі напівпровідників, активно працює над удосконаленням архітектури транзисторів GAA (Gate All Around) для нового 2-нм техпроцесу. Згідно з останніми звітами, корейська компанія планує почати масове виробництво 2-нм напівпровідникових чипів на основі цієї технології вже наступного року.

Наразі Samsung розробляє третє покоління технології GAA, яке буде застосовуватися в 2-нм процесі. Перше покоління технології GAA було запроваджено з 3-нм процесом від Samsung Foundry у 2022 році. Технологія GAA другого покоління застосовується в 3-нм техпроцесі другого покоління.

Samsung - перша компанія, яка почала виробляти чипи за новою технологією GAA. Її головний конкурент TSMC також почав виробляти 3-нм чипи з 2022 року, але за старою технологією FinFET. TSMC також планує перейти на новий техпроцес 2-нм за технологією GAA наступного року. Але Samsung може мати технологічну перевагу, коли у 2025 році почнеться ера 2-нм.

Архітектура транзисторів GAA допомагає підвищити продуктивність, енергоефективність чипів, а також зробити самі чипи компактнішими. Чипи першого покоління GAA показали скорочення площі чипа на 16%, поліпшення продуктивності на 23% і підвищення енергоефективності на 45%. Друге покоління техпроцесу, імовірно, забезпечує скорочення площі на 35%, поліпшення продуктивності на 30% і поліпшення енергоефективності на 50%. Третє покоління GAA, яке буде використовуватися в 2нм чипах, має забезпечити скорочення площі на 50% і збільшення продуктивності на 50%.

Головний конкурент Samsung, TSMC, ще не використовував технологію Gate All Around у своїх передових процесах. Samsung планує почати масове виробництво чипів другого покоління 3-нм GAA (наприклад, для Galaxy S25) у другій половині цього року, а також продовжує створювати третє покоління архітектури GAA для 2-нм чипів, що забезпечить їй лідерство в технології GAA.

Незважаючи на те, що Samsung є першим у світі ливарним заводом, який розпочав масове виробництво 3-нм техпроцесу з архітектурою GAA, їй ще належить укласти великі виробничі контракти. TSMC вже зробила 3-нм чипи для Apple, A17 Pro для iPhone 15 Pro та iPhone 15 Pro Max. Час покаже, чи зможе Samsung переломити ситуацію на свою користь в епоху 2-нм техпроцесу.

За матеріалами: gagadget.com
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
40,4478
 0,0706
0,17
EUR
1
43,2347
 0,1929
0,44

Курс обміну валют на 21.06.24, 10:37
  куп. uah % прод. uah %
USD 40,2896  0,04 0,11 40,8960  0,04 0,10
EUR 43,3380  0,10 0,22 44,1212  0,09 0,21

Міжбанківський ринок на 21.06.24, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 40,4550  0,09 0,21 40,4700  0,09 0,21
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес