Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung змінює назву 3-нм техпроцесу (SF3) на 2-нм (SF2), щоб краще конкурувати з Intel 20A

23:21 07.03.2024 |

Новини IT

 

На тлі посилення конкуренції з Intel компанія Samsung Foundry вирішила провести ребрендинг своєї технології виробництва другого покоління 3-нм класу, раніше відому як SF3. Майбутній вузол було перейменовано на SF2, щоб позначити виробничий процес класу 2 нм. Про це повідомляють обізнані джерела. Однак Samsung Foundry ще офіційно не підтвердила це перейменування.

Джерело стверджує, що минулого року Samsung Electronics підписала контракт із Samsung Foundry на 3-нм виробництво 2-го покоління. Але згодом контракт було переглянуто, щоб відобразити зміни в найменуванні техпроцесу. Ці зміни, начебто, відбулись на початку цього року.

Зазначається, що перейменування є частиною планів Samsung щодо спрощення номенклатури процесів. Але, ймовірно, воно також допоможе південнокорейському гіганту краще конкурувати з Intel Foundry, чий 2-нм виробничий вузол під назвою Intel 20A, як очікується, з'явиться пізніше цього року.

Samsung оголосила про свою дорожню карту технологічних процесів ще у 2022 році, перерахувавши низку вузлів, які будуть розгорнуті до 2027 року. Відповідно до дорожньої карти, вона буде націлена на масове виробництво 2-нм техпроцесу (SF2P) до 2025 року та 1,4-нм (SF1.4) до 2027 року. Компанія також заявила, що планує збільшити свої виробничі потужності для передових вузлів більш ніж у 3 рази до 2027 року.

Однак на початку цього року Samsung повідомила своїх клієнтів про зміни у своїй дорожній карті та перейменування процесу SF3 на SF2. На цей час немає інформації про те, чи є якісь реальні зміни в архітектурі нового вузла, окрім ребрендингу. Тобто клієнти, швидше за все, отримають ту саму технологію, що пропонував колишній вузол SF3.

Очікується, що Samsung випустить свій новий процес SF2 у другій половині цього року. З того, що відомо зараз, SF2 використовує транзистори Gate-all-around (GAA) або Multi-Bridge-Channel Field Effect Transistors (MBCFET), але не має технології живлення чипа на зворотній стороні (BSPDN), на відміну від Intel 20A. BSPDN начебто покращує продуктивність транзистора, знижує енергоспоживання, збільшує щільність логічних транзисторів і усуває перешкоди між ланцюгами даних і живлення, що потенційно дає Intel 20A значну перевагу. Samsung все ще розробляє таку технологію.

За матеріалами: ITC.ua
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
40,5493
 0,0992
0,24
EUR
1
43,4486
 0,0880
0,20

Курс обміну валют на вчора, 10:16
  куп. uah % прод. uah %
USD 40,3891  0,04 0,09 41,0309  0,03 0,08
EUR 43,4661  0,01 0,02 44,2917  0,00 0,00

Міжбанківський ринок на вчора, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 40,5100  0,12 0,30 40,5250  0,15 0,36
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес