Компания Samsung Electronics в освоении технологических норм 3 нм изначально делала ставку на транзисторный канал, полностью окружённый затворами (GAAFET), и при этом обещала внедрить технологию в массовое производство едва ли не быстрее основного конкурента, TSMC. Сейчас осведомлённые источники сообщают, что появления 3-нм серийных изделий в исполнении Samsung придётся подождать до 2024 года.

В начале 2019 года, как отмечает ресурс SemiAnalysis, компания Samsung Electronics рассчитывала внедрить 3-нм техпроцесс в разновидности 3GAE к концу 2020 года на стадии опытного производства, а к концу 2021 года перейти к массовому производству. По сравнению с 7-нм технологией, планировалось обеспечить увеличение скорости переключения транзисторов на 35 %, снижение энергопотребления на 50 %, а плотность размещения транзисторов должна была увеличиться на 45 %. В настоящее время целевые показатели пересмотрены в сторону ухудшения. Например, прирост в быстродействии сокращён до 10 %, показатель увеличения плотности сократился до 25 %, по уровню энергопотребления прогресс ухудшился до 20 %.

Очевидная задержка с внедрением 3-нм технологии будет компенсирована появлением так называемого 4-нм техпроцесса (4LPP). Помимо самой Samsung, его будет использовать и компания Qualcomm, для которой корейский гигант будет выпускать полупроводниковые компоненты по контракту. Один из вице-президентов Qualcomm на мероприятии, организованном Applied Materials, заявил о возможности появления серийных продуктов с технологией GAE лишь в 2023 году, с более реалистичным сроком в виде 2024 года. Легко догадаться, что речь шла именно о 3-нм техпроцессе в исполнении Samsung Electronics и дочерней компании Samsung Foundry. Для собственных нужд корейский гигант начнёт использовать 3-нм техпроцесс не ранее второй половины 2023 года. Скорее всего, к 2024 году конкурирующая TSMC уже сможет предложить 2-нм технологию. Сейчас тайваньская компания уже строит профильные предприятия, а во второй половине следующего года будет освоен массовый выпуск 3-нм изделий.