Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung освоит массовое производство 3-нм изделий не ранее 2024 года

12:52 30.06.2021 |

Новини IT

Компания Samsung Electronics в освоении технологических норм 3 нм изначально делала ставку на транзисторный канал, полностью окружённый затворами (GAAFET), и при этом обещала внедрить технологию в массовое производство едва ли не быстрее основного конкурента, TSMC. Сейчас осведомлённые источники сообщают, что появления 3-нм серийных изделий в исполнении Samsung придётся подождать до 2024 года.

 

В начале 2019 года, как отмечает ресурс SemiAnalysis, компания Samsung Electronics рассчитывала внедрить 3-нм техпроцесс в разновидности 3GAE к концу 2020 года на стадии опытного производства, а к концу 2021 года перейти к массовому производству. По сравнению с 7-нм технологией, планировалось обеспечить увеличение скорости переключения транзисторов на 35 %, снижение энергопотребления на 50 %, а плотность размещения транзисторов должна была увеличиться на 45 %. В настоящее время целевые показатели пересмотрены в сторону ухудшения. Например, прирост в быстродействии сокращён до 10 %, показатель увеличения плотности сократился до 25 %, по уровню энергопотребления прогресс ухудшился до 20 %.

Очевидная задержка с внедрением 3-нм технологии будет компенсирована появлением так называемого 4-нм техпроцесса (4LPP). Помимо самой Samsung, его будет использовать и компания Qualcomm, для которой корейский гигант будет выпускать полупроводниковые компоненты по контракту. Один из вице-президентов Qualcomm на мероприятии, организованном Applied Materials, заявил о возможности появления серийных продуктов с технологией GAE лишь в 2023 году, с более реалистичным сроком в виде 2024 года. Легко догадаться, что речь шла именно о 3-нм техпроцессе в исполнении Samsung Electronics и дочерней компании Samsung Foundry. Для собственных нужд корейский гигант начнёт использовать 3-нм техпроцесс не ранее второй половины 2023 года. Скорее всего, к 2024 году конкурирующая TSMC уже сможет предложить 2-нм технологию. Сейчас тайваньская компания уже строит профильные предприятия, а во второй половине следующего года будет освоен массовый выпуск 3-нм изделий.

За матеріалами: 3DNews
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
36,5686
 0,0000
0,00
EUR
1
34,9742
 0,2834
0,80

Курс обміну валют на сьогодні, 10:04
  куп. uah % прод. uah %
USD 41,2800  0,32 0,79 42,2858  0,11 0,25
EUR 39,3917  0,31 0,80 40,7458  0,17 0,42

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:41
  куп. uah % прод. uah %
USD 36,9325  0,00 0,00 36,9343  0,00 0,00
EUR -  - - -  - -

Курс безготівкових валютних операцій
встановлений з 21.07.22
  куп. прод.
USD 36.5686 36.9342

Згідно постанови НБУ №18 від 24.02.2022

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес