Intel має намір знову вийти на ринок пам'яті, уклавши партнерство з дочірньою компанією SoftBank - Saimemory. Спільно вони працюють над новим стандартом пам'яті під назвою Z-Angle Memory (ZAM), який має забезпечити підвищену ефективність та щільність зберігання даних. Про це пише WccfTech.

Зростання попиту на DRAM, спричинене розвитком інфраструктури штучного інтелекту з активним використанням гіпермасштабованих систем та виробництвом мікросхем, створило значні проблеми у світовому ланцюгу постачання. Обмежена кількість виробників пам'яті посилює дефіцит, що відкриває можливості для нових гравців. Intel планує використати цю ситуацію, запропонувавши власне рішення.

Розробка ZAM почалася в рамках програми Advanced Memory Technology (AMT), ініційованої Міністерством енергетики США. У її межах Intel представила концепцію нового типу DRAM-з'єднання. За даними WccfTech, технологія передбачає використання діагональних міжз'єднань у структурі кристала, що дозволяє ефективніше використовувати площу кремнію, знижувати тепловий опір та досягати більшої щільності.

Очікується, що ZAM застосовуватиме гібридне з'єднання "мідь-мідь", яке створює монолітний кремнієвий блок замість окремих шарів. Крім того, модулі будуть безконденсаторними, а для інтеграції з AI-чипами використовуватиметься технологія EMIB, яка забезпечує високошвидкісне з'єднання між окремими кристалами за допомогою тонкого кремнієвого мосту, вбудованого в підкладку корпусу.

Співпраця з SoftBank дає можливість Intel контролювати повний стек пам'яті та застосовувати його у власних ASIC-системах, зокрема в лінійці Izanagi. Попередні оцінки свідчать, що ZAM може забезпечити на 40-50% нижче енергоспоживання, спростити виробництво завдяки новій топології та досягати обсягу до 512 ГБ на один чип.

Intel вже мала бізнес у сегменті DRAM, але залишила його у 1985 році через конкуренцію з японськими виробниками. Тепер компанія прагне повернутися, використовуючи нову технологію, яка може стати альтернативою HBM та привернути увагу ключових партнерів, зокрема NVIDIA.