Samsung змінила плани щодо запуску свого напівпровідникового заводу в американському штаті Техас. Компанія модернізувала його ливарне виробництво до 2-нм GAA-технології замість раніше запланованої 4-нм. За повідомленнями корейських ЗМІ, роботу об'єкта планується розпочати найближчим часом і співробітники компанії ASML вже встановили EUV-обладнання, необхідне для масового випуску пластин із технологією нижче 5-нм.

За даними джерела, спочатку підприємство мало виробляти 20 тисяч пластин щомісяця, однак цей показник підвищено до 50 тисяч. Очікується, що до 2027 року завод зможе досягти потужності у 100 тисяч пластин на місяць. Рішення про перехід на 2-нм пояснюється прагненням компанії скоротити відставання від TSMC, яка поки що не планує розміщувати свої передові технології у США.

Першим продуктом Samsung на базі 2-нм технології GAA став процесор Exynos 2600. На початку його масового виробництва рівень виходу придатних чипів оцінювався у 50%, але тепер прогнозується зростання цього показника. Для адаптації виробництва завод переглянув замовлення на обладнання, щоб забезпечити підтримку нової літографії.

Раніше Samsung уклала контракт із Tesla на суму $16,5 млрд для виготовлення 2-нм чипів AI6, призначених для систем автономного водіння, що допоможе корейському техногіганту розширити виробництво. Також компанія отримала замовлення від двох китайських виробників обладнання для криптовалют, хоча їхнє виконання, ймовірно, відбуватиметься на заводах у Південній Кореї.

У галузі припускають, що американський майданчик може стати центром виробництва другого покоління 2-нм чипів GAA від Samsung, а також третьої версії технології - SF2P+, яка наразі перебуває у розробці й може бути впроваджена протягом двох років.