Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung почала виробництво пам'яті V-NAND нового покоління: + 33% продуктивності, -10% енергоспоживання

14:29 23.04.2024 |

Новини IT

 

Samsung оголосила про початок масового виробництва флешпам'яті V-NAND 9 покоління, яка пропонує приріст на 33% у порівнянні з нині актуальною. Цього місяця стартує виробництво TCL V-NAND місткістю 1 Тбіт, QLC надійде у другій половині 2024 року. Раніше початок виробництва підтверджували неофіційні джерела, з яких також відомо, що пам'ять має 290+ шарів.

«Ми раді представити першу в галузі V-NAND 9-го покоління, яка зробить крок вперед для майбутніх програм. Щоб задовольнити потреби в рішеннях для флешпам'яті NAND, Samsung розсунула межі в архітектурі осередків і операційній схемі для нашого продукту наступного покоління. Завдяки нашій новітній V-NAND Samsung продовжить задавати тенденції на ринку високопродуктивних твердотілих накопичувачів (SSD) високої щільності, які відповідають потребам майбутнього покоління ШІ», - сказав СунгХой Хур, керівник відділу флеш-продуктів та технологій пам'яті Samsung Electronics.

За словами компанії, щільність бітів V-NAND 9 покоління приблизно на 50% більша порівняно з V-NAND 8 покоління. Нові технології уникнення перешкод у комірці та подовження терміну служби комірки, підвищили якість та надійність пам'яті, а усунення фіктивних отворів у каналах значно зменшило площу комірок.

Технологія травлення отворів каналів Samsung створює електронні шляхи через укладання шарів пресформою та максимізує продуктивність виготовлення, оскільки дає змогу одночасно обробляти найбільшу в галузі кількість шарів комірок у подвійній структурі.

V-NAND 9 покоління оснащено флеш-інтерфейсом нового покоління NAND Toggle 5.1, який підтримує збільшену швидкість введення/виведення даних на 33% до 3,2 Гбіт на секунду. Енергоспоживання було покращено на 10%.

За матеріалами: ITC.ua
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на завтра
 
за
курс
uah
%
USD
1
40,3012
 0,1859
0,46
EUR
1
43,7590
 0,2680
0,62

Курс обміну валют на сьогодні, 10:08
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,9096  0,13 0,34 40,5069  0,21 0,52
EUR 43,2838  0,31 0,71 44,0250  0,25 0,58

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 40,2800  0,23 0,57 40,3050  0,24 0,60
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес