Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung першою у світі почала постачання 3-нм чіпів - відвантажена перша партія

10:54 25.07.2022 |

Новини IT

 

Компанія Samsung провела церемонію, присвячену початку постачання першої партії своїх 3-нм чіпів, виконаних з використанням транзисторів GAA. Захід пройшов на майданчику, де розміщується виробнича лінія V1 у кампусі Хвасон у Південній Кореї.

Подію відвідали близько 100 осіб, включаючи вищих чинів Міністерства торгівлі, промисловості та енергетики Південної Кореї та всіх ключових співробітників Samsung, які зробили внесок у розробку та організацію масового виробництва чіпів нового покоління. У ході заходу Samsung оголосила амбітну мету «рухатися вперед за допомогою інноваційних технологій, щоб стати найкращою у світі».

За словами представників Samsung Foundry, технологічні перешкоди при розробці 3-нм техпроцесу було усунуто за допомогою співпраці як з іншими підрозділами Samsung, так і з виробничими та інфраструктурними партнерами компанії.

3-нм чіпи Samsung використовують технологію транзисторів GAA (Gate All Around), що забезпечує більш ефективне енергоспоживання та підвищену продуктивність у порівнянні з FinFET, що вже використовується. Нове рішення буде застосовуватися для випуску процесорів, призначених для серверів, дата-центрів, а також передових чіпсетів для смартфонів, планшетів, пристроїв, ноутбуків, настільних комп'ютерів та іншої електроніки.

Компанія розпочала розробку GAA на початку 2000-х років та вперше успішно застосувала її при виробництві 3-нм чіпів у 2017 році. Після кількох років досліджень та тестів почалося виробництво нових рішень. Зокрема, 3-нм чіпи поставлятимуться китайській майнінговій компанії.

Очікується, що головний конкурент Samsung на ринку контрактного виробництва напівпровідників - компанія TSMC, почне випускати 3-нм чіпи приблизно у 4 кварталі 2022 року. Обидві змагатимуться за право отримати замовлення від великих вендорів на кшталт AMD, Apple, MediaTek, NVIDIA та Qualcomm.

Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на понеділок
 
за
курс
uah
%
USD
1
36,5686
 0,0000
0,00
EUR
1
39,7482
 0,0951
0,24

Курс обміну валют на вчора, 10:29
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,8470  0,00 0,00 40,6107  0,00 0,01
EUR 42,6726  0,08 0,18 43,7359  0,05 0,11

Міжбанківський ринок на вчора, 11:34
  куп. uah % прод. uah %
USD 36,9325  0,00 0,00 36,9343  0,00 0,00
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес