Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Американские лазеры помогут бельгийским учёным с прорывом до 3-нм техпроцесса и дальше

16:54 18.03.2019 |

Новини IT

Как сообщает сайт IEEE Spectrum, с конца февраля по начало марта на базе бельгийского центра Imec совместно с американской компанией KMLabs была создана лаборатория для изучения проблем с полупроводниковой фотолитографией под воздействием EUV-излучения (в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне). Казалось бы, что тут изучать? Нет, предмет для изучения есть, но зачем для этого учреждать новую лабораторию? Компания Samsung ещё полгода назад приступила к выпуску 7-нм чипов с частичным использованием сканеров диапазона EUV. Вскоре к ней в этом присоединится компания TSMC. К концу года обе они начнут рисковое производство с нормами 5 нм и так далее. И всё же проблемы есть, и они достаточно серьёзные, чтобы ответы на вопросы искать в лабораториях, а не на производстве.

 Лазеры широко используются для безопасного анализа полупроводников (KMLabs)

Главной проблемой в EUV-литографии сегодня остаётся качество фоторезиста. Источником EUV излучения является плазма, а не лазер, как в случае старых 193-нм сканеров. Лазер испаряет каплю свинца в газовой среде и возникающее излучение испускает фотоны, энергия которых в 14 раз выше энергии фотонов в сканерах с ультрафиолетовым излучением. Как результат, фоторезист разрушается не только в тех местах, где он бомбардируется фотонами, но и возникают случайные ошибки, в том числе из-за так называемого эффекта дробного шума. Слишком уж высока энергетика фотонов. Опыты с EUV-сканерами показывают, что фоторезисты, которые ещё способны работать с нормами 7 нм, в случае изготовления 5-нм схем демонстрируют критически высокий уровень брака. Проблема настолько серьёзна, что многие специалисты не верят в скорый успешный запуск 5-нм техпроцесса, не говоря уже о переходе к 3 нм и ниже.

Проблему создания фоторезиста нового поколения будут пытаться решать в совместной лаборатории Imec и KMLabs. И решать они её будут с точки зрения научного подхода, а не с помощью подбора реактивов, как это делалось в последние тридцать с чем-то лет. Для этого научные партнёры создадут инструмент для детального изучения физических и химических процессов в фоторезисте. Обычно для изучения процессов на молекулярном уровне используются синхротроны, но Imec и KMLabs собираются создать проекционную и измерительную EUV аппаратуру на основе инфракрасных лазеров. Компания KMLabs как раз является специалистом по лазерным установкам.

 Общий принцип получения гармоник высокого порядка из лазерного импульса

На основе лазерной установки KMLabs будет создана платформа для генерации гармоник высокого порядка (high harmonics). Обычно для этого лазерный импульс высокой интенсивности направляют в газовую среду, в которой возникают весьма высокие гармоники частот направленного импульса. При таком преобразовании происходит значительная потеря мощности, так что напрямую для полупроводниковой литографии подобный принцип генерации EUV излучения использовать нельзя. Но для проведения экспериментов этого достаточно. Самое главное, что результирующим излучением можно управлять как по длительности импульса в пределах от пикосекунд (10-12) до аттосекунд (10-18), так и по длине волны от 6,5 нм до 47 нм. Для измерительного инструмента это ценные качества. Они помогу изучить процессы сверхбыстрых молекулярных изменений в фоторезисте, процессы ионизации и воздействие фотонами с высокой энергией. Без этого промышленная фотолитография с нормами менее 3 и даже 5 нм остаётся под вопросом.

За матеріалами: 3DNews
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
38,9744
 0,1746
0,45
EUR
1
42,4470
 0,2018
0,48

Курс обміну валют на вчора, 10:45
  куп. uah % прод. uah %
USD 38,5222  0,15 0,38 39,0548  0,15 0,39
EUR 41,9667  0,18 0,43 42,7337  0,15 0,34

Міжбанківський ринок на вчора, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 38,9500  0,15 0,39 38,9750  0,16 0,40
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес