Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

В Корее создана технология производства флеш-памяти на бумаге

20:39 08.11.2017 |

Новини IT

Благодаря развитию индустрии по производству жидкокристаллических экранов технология создания тонкоплёночных транзисторов (TFT, thin-film transistors) шагнула далеко вперёд. К сожалению, этого нельзя сказать о производстве транзисторов из органических материалов, которые могли бы добавить тонкоплёночным полупроводниковым структурам гибкости, вплоть до возможности растягиваться без повреждения. И если с обычными транзисторами вопрос как-то решается, а электроника на гибких подложках уже не является чем-то необычным, то с производством энергонезависимой памяти на гибкой пластиковой или другой основе пока всё достаточно плохо.

 Пример упаковки продуктов с датчиком температуры и дисплеем (Thin Film Electronics)

Перспективную технологию производства NOR- и NAND-флеш на гибких подложках предложил южно-корейский институт KAIST (Корейский институт передовых технологий). Статья о разработке опубликована в журнале Nature Communications. Созданный с применением новой технологии прототип с массивом памяти NAND демонстрирует работоспособность при кривизне изгиба 300 мкм. Толщина подложки при этом равна 6 мкм. Материал также допускает растягивание до 2,8 % с сохранением работоспособности «чипа» памяти. Предыдущие материалы не позволяли растягивать электронную схему более чем на 1 %.

Основная проблема при производстве флеш-памяти на гибкой подложке заключалась в том, что не удавалось создать изолирующие материалы одновременно достаточно гибкие и способные удерживать заряд в ячейке длительное время - более месяца. Предложенный институтом KAIST технологический процесс, который опирается на химическое осаждение материала из газовой (паровой) фазы, даёт возможность последовательно создавать изолирующие слои с необходимыми свойствами. Обычно же для выпуска электроники на гибких подложках используются технологии с разного рода жидкими растворителями. С производством флеш-памяти это не помогло.

 Условная структура гибкой ячейки NAND-флеш (KAIST)

Созданный в лабораториях прототип флеш-памяи на гибкой подложке программируется напряжением 10 В и способен удерживать заряд в ячейке 10 лет без подачи питания. Это уже индустриальный стандарт. Такую же память разработчики создали на обычной бумаге. В последние годы электроника вторгается в печатную продукцию и, прежде всего, в упаковочные материалы. Это лекарства, продукты, карты доступа и прочее, что сделает ряд обычных жизненных ситуаций более информативными.

За матеріалами: 3DNews
 

ТЕГИ

Курс НБУ на понеділок
 
за
курс
uah
%
USD
1
39,6015
 0,0687
0,17
EUR
1
42,4409
 0,0796
0,19

Курс обміну валют на сьогодні, 10:50
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,3800  0,01 0,04 39,9436  0,05 0,12
EUR 42,2168  0,05 0,11 42,9988  0,04 0,08

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,5900  0,11 0,28 39,6100  0,11 0,28
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес