Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung первой в отрасли начала выпуск "систем на чипе" по 10-нм технологии FinFET

12:54 17.10.2016 |

Новини IT

Компания Samsung сегодня объявила о начале массового производства «систем на чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. Утверждается, что это первые подобные изделия в отрасли.

Отмечается, что производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40 процентов снизить энергопотребление.

По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30 процентов в расчёте на одну кремниевую пластину.

Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится у возможности увеличения производительности на 27 процентов по сравнению с 14-нанометровыми решениями.

Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Говорится о поддержке памяти LPDDR4X.

Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения.

По всей видимости, в перспективе новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung - чипов семейства Exynos.

За матеріалами: 3DNews
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
39,2273
 0,1157
0,29
EUR
1
42,4420
 0,2491
0,58

Курс обміну валют на сьогодні, 09:23
  куп. uah % прод. uah %
USD 38,9971  0,11 0,29 39,5506  0,09 0,23
EUR 42,2471  0,04 0,09 42,9835  0,01 0,02

Міжбанківський ринок на вчора, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,1500  0,26 0,65 39,1800  0,24 0,62
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес