Компанія Samsung повідомила про створення нового типу флеш-пам'яті NAND, яка споживає на 96% менше енергії у порівнянні з традиційними рішеннями. Про це пише корейське видання Seoul Economic Daily. Розробка базується на використанні фероелектричних транзисторів, що дозволило досягти рекордних показників енергоефективності.

Samsung повідомила, що стаття про нову технологію, співавторами якої є 34 дослідники Інституту передових технологій Samsung (SAIT), була опублікована в науковому журналі Nature під назвою "Фероелектричний транзистор для енергоефективної флеш-пам'яті NAND".

Початково робота велася над оксидними напівпровідниками, які вважалися непридатними для високопродуктивних чипів через високий пороговий рівень напруги. Водночас саме ця особливість стала ключем до зниження енергоспоживання при збільшенні кількості шарів і ємності пам'яті.

У NAND‑структурі дані зберігаються в комірках, які з'єднані послідовно. Зі зростанням кількості комірок підвищується споживання енергії, зокрема через витік струму навіть після вимкнення комірки. Крім того, збільшення висоти шарів призводить до додаткових витрат енергії під час операцій читання та запису. Нова технологія дозволяє блокувати струми нижчі за порогову напругу, що зменшує витоки і підвищує енергоефективність, як заявлено, на 96%.

Ця новітня розробка покликана вирішити проблему зростання енергоспоживання в умовах стрімкого збільшення потреб у пам'яті для смартфонів, центрів обробки даних ШІ та інших технологічних застосувань. У матеріалі зазначається, що технологія може стати важливим кроком для галузі, однак терміни її комерціалізації поки невідомі.

Зазначається, що після запуску новітньої NAND‑пам'яті у масове виробництво, її значні енергоефективні можливості будуть відчутні для всіх.