Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung починає масове виробництво нової пам'яті QLC V-NAND 9-го покоління

13:25 16.09.2024 |

Новини IT

Samsung починає масове виробництво нової пам'яті QLC V-NAND 9-го покоління

 
Samsung стала першою компанією в індустрії пам'яті, яка запустила масове виробництво Quad-Level Cell (QLC) V-NAND 9-го покоління. Технологічний гігант вперше анонсував нову пам'ять V9 QLC у серпні, а цього тижня підтвердив, що новітні технології вже на конвеєрах.

Нова пам'ять стала доступною для масового виробництва всього через кілька місяців після запуску трирівневої комірки (TLC) 9-го покоління. Samsung почала виготовляти TLC V-NAND у квітні, а тепер запускає нові QLC технології. Це допоможе їй стати лідером на ринку флешпам'яті з великою ємністю і високою швидкістю.

QLC V-NAND 9-го покоління відзначається збільшенням щільності бітів на 86% у порівнянні з попередньою версією V7 QLC. Вона забезпечує швидкість введення-виведення до 3,2 ГБ/с і підтримує буферизацію SLC/TLC.

Samsung починає масове виробництво нової пам'яті QLC V-NAND 9-го покоління

 

Samsung використовує нову технологію Designed Mold для покращення інтервалів між клітинами пам'яті, що забезпечує їх стабільність і підвищує ефективність.

Технологія Channel Hole Etching дозволяє створювати найбільшу кількість шарів пам'яті, а Predictive Program контролює зміни в клітинах, щоб зменшити помилки.

З новим QLC V-NAND 9-го покоління Samsung обіцяє забезпечити вдосконалені рішення SSD, які відповідають потребам ери штучного інтелекту.

За матеріалами: gagadget.com
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на завтра
 
за
курс
uah
%
USD
1
41,9048
 0,0777
0,19
EUR
1
43,9581
 0,0438
0,10

Курс обміну валют на сьогодні, 09:38
  куп. uah % прод. uah %
USD 41,5240  0,10 0,24 42,1224  0,08 0,19
EUR 43,7248  0,09 0,20 44,4100  0,07 0,16

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 41,8850  0,05 0,12 41,9050  0,05 0,13
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес