У Південні Кореї затримали 10 колишніх співробітників Samsung, яких підозрюють у витоку 10-нанометрової DRAM-технології до ChangXin Memory Technologies (CXMT). Керівники та дослідники нібито злили DRAM-технології китайській CXMT, що призвело до збитків на трильйони вон.

Із десяти осіб п'ятеро були ключовими розробниками, серед них - колишній керівник. Інші - керівники підрозділів, відповідальні за розробку та дослідження. За словами звинувачення, після заснування CXMT у 2016 році компанія почала активно залучати керівників і ключових фахівців із Samsung Electronics, яка на той момент була єдиною компанією, що масово виробляла 10-нм DRAM. Йдеться про 10-нанометрову DRAM-технологію, яка має статус визначеної державою ключової промислової технології та була вперше у світі розроблена Samsung Electronics. На її створення компанія інвестувала близько 1,6 трлн корейських вон.

Прокурори стверджують, що викрадена технологія заклала основу для подальшого розвитку китайської компанії у сфері HBM. За їхніми даними, CXMT, створена за фінансової підтримки місцевої влади Китаю з інвестиціями на рівні близько 2,6 трлн вон, стала першою компанією в Китаї та четвертою у світі, якій вдалося налагодити масове виробництво 10-нанометрової DRAM у 2023 році. У наступному році CXMT розпочала масовий випуск пам'яті HBM2 і, як очікується, може захопити до 15% світового ринку.

Після запуску проєкту CXMT системно вербувала ключових фахівців Samsung. Колишній керівник компанії, відомий у матеріалах справи як "А", відповідав за розвиток 10-нм DRAM-напрямку вже в китайській компанії. Інший фігурант, "Б" - дослідник Samsung Electronics, щодо якого нині діє "червоне повідомлення" Інтерполу, - нібито скопіював і передав інформацію про сотні етапів технологічного DRAM-процесу. The Chosun Daily зазначає, що "Б" вручну переписав 12 сторінок технічної інформації, щоб уникнути викриття, оскільки напівпровідникові компанії особливо ретельно захищають свої дані, а копіювання файлів із комп'ютера або фотографування їх смартфоном могло б призвести до негайного виявлення витоку.

Крім технологій Samsung, під час розробки CXMT також незаконно отримувала визначені державою ключові напівпровідникові технології SK Hynix, які надалі модифікувалися та перевірялися з урахуванням китайських виробничих потужностей. Внаслідок цього CXMT отримала DRAM-процесні технології світового рівня, що заклало фундамент для розвитку високошвидкісної пам'яті HBM. Взагалі, ця справа вирізняється масштабом. Група використовувала фіктивні компанії для передачі інформації, регулярно змінювала офіси, щоб уникнути викриття, діяла з припущенням, що "поблизу перебуває Національна розвідувальна служба", а для екстрених комунікацій застосовувала шифрування.

Збитки для Samsung Electronics і пов'язаних галузей оцінюються щонайменше у кількадесят трильйонів корейських вон. Це, за словами слідчих, уже частково відображено у фінансових показниках: з огляду на зміну глобальної частки ринку, продажі Samsung Electronics лише минулого року скоротилися приблизно на 5 трлн вон. З урахуванням того, що напівпровідникова галузь формує близько 20,8% загального експорту Південної Кореї, потенційні втрати для національної економіки в довгостроковій перспективі можуть сягнути десятків трильйонів вон.