Samsung представила нове покоління карт пам'яті microSD. Компанія розпочала тестування картки пам'яті microSD SD Express обсягом 256 ГБ, яка має швидкість послідовного зчитування до 800 МБ/с, а також оголосила про початок масового виробництва карток на 1 ТБ UHS-1.

За твердженням Samsung, компанія вперше в галузі представила настільки високопродуктивну картку microSD на основі інтерфейсу SD Express. Розробка стала результатом успішної співпраці з клієнтом для створення індивідуального продукту.

Завдяки дизайну з низьким енергоспоживанням, а також вбудованому програмному забезпеченню, оптимізації для високої продуктивності та керуванню температурою, карта Samsung SD Express microSD у малому формфакторі забезпечує продуктивність, еквівалентну деяким SSD. У той час як швидкість читання більшості традиційних карт microSD на основі інтерфейсу UHS-1 обмежена 104 МБ/с, SD Express вдалося підвищити її до 985 МБ/с, досі такі картки microSD не були комерційно доступні.

Швидкість послідовного зчитування карти SD Express microSD від Samsung сягає 800 МБ/с - у 1,4 раза швидше, ніж у твердотілих накопичувачів SATA (до 560 МБ/с) та більш ніж у чотири рази швидше, ніж у традиційних карт пам'яті UHS-1 (до 200 МБ/с), що дозволить пришвидшити роботу програм на ПК та мобільних пристроях. Щоб забезпечити стабільну продуктивність та надійність у малому формфакторі, технологія Dynamic Thermal Guard (DTG) підтримує оптимальну температуру навіть під час тривалих сеансів використання.

Картка microSD UHS-1 на 1 ТБ з V-NAND

Нова картка пам'яті microSD від Samsung об'ємом 1 ТБ містить вісім рівнів V-NAND 8-го покоління загальною місткістю 1 ТБ, реалізуючи характеристики, які раніше були можливими лише на SSD. Нова картка пам'яті microSD об'ємом 1 ТБ «пройшла найсуворіші тести в галузі» та має захист від води, екстремальних температур, падінь, зношування, рентгенівського випромінювання та магнітного поля.

Заявлений захист дійсний лише для картки microSD UHS-1 на 1 ТБ (не для картки SD Express microSD на 256 ГБ). Він передбачає глибину занурення 1 м у солону воду на час до 72 годин. Робочі температури - від -25 ℃ до 85 ℃), неробочі температури - -40 ℃ до 85 ℃. Картка витримує стандартні рентгенівські апарати аеропорту (до 100 мГр). Магнітне поле еквівалентно потужному МРТ-сканеру (до 15 000 Гс). Виріб витримує падіння з висоти до 5 м та до 10 000 змін картки.

Карта microSD SD Express на 256 ГБ буде доступна для придбання пізніше у 2024 році, а карта microSD UHS-1 на 1 ТБ буде випущена в третьому кварталі цього року.