Уряд Франції підписав угоду з компаніями STMicroelectronics та GlobalFoundries про будівництво заводу з виробництва напівпровідників. Загальна вартість проєкту - 7,5 млрд євро ($8 млрд), державні інвестиції Франції в завод - 2,9 млрд євро, повідомляє Euractiv.

Будівництво заводу входить до державного інвестиційного плану "Франція 2030", метою якого є досягнення промислової незалежності від імпортних постачань ключових технологій та продуктів.

Відповідно до стреспрогнозів уряду, серйозний збій у ланцюжку постачання напівпровідників може зупинити до 5% усіх промислових підприємств країни. Тому будівництво заводу відповідає меті зниження ризиків у зв'язку з геополітичною нестабільністю, пояснив міністр економіки Франції Бруно Ле Мер.

Новий завод допоможе Франції стати першою країною у світі, що досягла масового виробництва напівпровідників з технологічним процесом 10 нанометрів, при поточній нормі 40 нанометрів. Жан-Марк Шері, генеральний директор STMicroelectronics, пояснив, що з таким рівнем тонкості напівпровідники можуть задовольнити усі майбутні потреби ринку.

Розмір державної інвестиції в завод викликав дебати у Франції на тлі зниження минулого місяця кредитного рейтингу країни до АА через надто великий розмір державного боргу (111,6% ВВП). Критики вказують на так звані "перегони субсидій", коли виробники чипів вимагають додаткових інвестицій на стадії будівництва заводів, користуючись бажанням урядів забезпечити незалежність від імпортних постачань.

Наприклад, у лютому минулого року Intel звернувся до уряду Німеччини з проханням збільшити вже узгоджену державну допомогу на будівництво двох мегафабрик з виробництва мікрочипів у Магдебурзі. Запит був обґрунтований зростом витрат на енергію та сировину.

У міру зростання попиту на напівпровідники глобальні гравці, такі як США, Китай та ЄС, значною мірою субсидують свої внутрішні виробничі потужності, прагнучи зменшити залежність від ланцюжків постачання.

Лише США виділили $52 млрд державних субсидій на виробництво напівпровідників.