Авторизация

Ім'я користувача:

Пароль:

Новини

Топ-новини

Фінансові новини

Фінанси

Банки та банківські технології

Страхування

Новини економіки

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий комплекс

Право

Міжнародні новини

Україна

Політика

Бізнес

Бізнес

Новини IT

Транспорт

Аналітика

Фінанси

Економіка

ПЕК (газ та електроенергія)

Нафта, бензин, автогаз

Агропромисловий ринок

Політика

Міжнародна аналітика

Бізнес

Прес-релізи

Новини компаній

Корирування

Курс НБУ

Курс валют

Курс долара

Курс євро

Курс британського фунта

Курс швейцарського франка

Курс канадського долара

Міжбанк

Веб-майстру

Інформери

Інформер курсів НБУ

Інформер курс обміну валют

Інформер міжбанківські курси

Графіки

Графік курсів валют НБУ

Графік курс обміну валют

Графік міжбанківській курс

Експорт новин

Інформація про BIN.ua

Про сайт BIN.ua

Реклама на сайті

Контакти

Підписка на новини

Samsung выпускает первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ

10:54 21.10.2016 |

Новини IT

Компания Samsung Electronics анонсировала выпуск первого в отрасли мобильного модуля памяти типа LPDDR4, который имеет ёмкость 8 Гбайт. В одном корпусе инженеры Samsung сумели разместить четыре 16-Гбит чипа, использующих передовую производственную технологию 10-нм класса. Новинка нацелена на использование в различных приложениях с высокими требованиями к подсистеме памяти, например, просмотр Ultra HD-видео на мобильных устройствах с большими экранами.

 

По мнению исполнительного вице-президента Samsung по продажам и маркетингу памяти Джу Сан Чоя (Joo Sun Choi), представленная память найдёт применение во флагманских аппаратах с поддержкой VR-технологий, 4K-видео и двумя камерами. 8-Гбайт модуль способен обеспечить производительность до 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза выше по сравнению с типичными модулями DDR4-памяти для настольных ПК. Новая память имеет 64-разрядную шину, то есть пропускная способность новинки составляет более 34 Гбайт/с. Планшеты, оснащённые этим модулем, смогут легко работать с виртуальными машинами, воспроизводить высококачественное видео, а также выполнять другие ресурсоёмкие задачи, характерные для ПК премиум-класса.

Благодаря усовершенствованному техпроцессу, новинка потребляет примерно столько же мощности, сколько и 4-Гбайт чипы на базе техпроцесса 20-нм класса. Габариты корпуса памяти составляют всего 15 × 15 × 1,0 мм, что позволяет интегрировать модуль в самые тонкие устройства. Предусмотрена также интеграция модуля с UFS-памятью или мобильными процессорами приложений.

Производитель не уточнил, когда новинка будет доступна разработчикам устройств.

За матеріалами: 3DNews
Ключові теги: Samsung
 

ТЕГИ

Курс НБУ на сьогодні
 
за
курс
uah
%
USD
1
39,2214
 0,0059
0,02
EUR
1
42,3670
 0,0750
0,18

Курс обміну валют на сьогодні, 10:56
  куп. uah % прод. uah %
USD 38,9582  0,03 0,08 39,5025  0,05 0,12
EUR 42,1375  0,11 0,27 42,9400  0,08 0,18

Міжбанківський ринок на сьогодні, 11:33
  куп. uah % прод. uah %
USD 39,0300  0,10 0,27 39,0550  0,10 0,27
EUR -  - - -  - -

ТОП-НОВИНИ

ПІДПИСКА НА НОВИНИ

 

Бізнес